ブックタイトル国際印刷大学校研究報告　第14巻

概要

国際印刷大学校研究報告　第14巻

17ナノインプリント技術及びナノインプリントモールドの概要■な熱ナノインプリント技術を発表した。1），2） その後、オランダのフィリップス研究所（1966）、米国テキサス大学のWilson教授が紫外光硬化樹脂を用いた、光（UV）ナノインプリント技術を発表した。5），6） 図１、２にそのプロセスの概念図を示す。　半導体メーカーが、ナノインプリントの研究開発を加速させている。その理由は大きく分けて二つある。一つは、次世代露光技術の本命とされるEUV露光でも難しい微細パターンを、ナノインプリントを使えば形成出来る点である。　特にメモリー分野では微細化が欠かせないので、積極的に進められている。二つめは、配線層などで、従来のプロセスに比べて工程数を大幅に減らせる点で、低コスト化につながる。7）　前述した様に、ナノインプリントには熱、光硬化タイプがあるが、UVナノインプリントは、室温プロセスで、石英基板表面にパターンの凹凸をつけた透明テンプレート（モールド）を用いて微細パターンを基板上に転写する。熱ナノインプリントではプレス圧が高く、高温下でパターニングする為、寸法精度上問題があり、半導体加工に於いては、UVナノインプリントが主流である。8）　印刷業界では、ナノインプリントでの重要な構成部材のモールド（テンプレート）を半導体メーカー等と研究開発、実用化へ活発に進めている。　ナノインプリントモールドでは、ナノインプリント（NIL）の方式により様々な材料、形態が使用されている。9）図３にモールドの加工方法を示す。　UVナノインプリントでは紫外線を透過する石英ガラス等が使用される。石英の微細レリーフパターンの形成には、クロム膜をハードマスクとしたレベンソン型位相シフトマスクのプロセスをベースとしている。（1）レジスト塗布 （2）ナノスタンパ押付光硬化性レジスト剤基盤ナノスタンパ（3）紫外線照射紫外線（4）ナノスタンパ剥離ペース層図２　光ナノインプリントプロセスの概念図図３　ナノインプリントモールドの作製プロセスモールド基盤エッチングマスク材レジストパターンエッチングマスクパターンモールドパターンエッチングマスク形成レジストパターン描画エッチングマスク加工エッチングマスク除去基板エッチング図４　パターン形状例（凸版印刷HP）モールド転写したレジスト図５　18nmモールドSEM拡大像（大日本印刷HP）