ブックタイトル国際印刷大学校研究報告　第14巻

概要

国際印刷大学校研究報告　第14巻

18■国際印刷大学校研究報告第14巻（2014）　フォトマスク製造では感度が高いレジストが使用されているが、電子線描画装置を用いても、解像限界は40?50nmである。よって、非化学増幅型レジストが一般的に使用されている。Hp18nmのラインが確認されている。10）　その他の課題としては、欠陥検査、スルーポット等がある。３．まとめ　ナノインプリント技術は、光学部材、LCD,LED,太陽電池等に着実に使用されつつある。光ナノインプリントを半導体リソグラフィへ適用する事により、①モールドサイズにより決まる、5nmレベルのパターン高解像性、②低エッジラフネス、③３次元モールドを用いたデュアルダマシンプロセスの大幅工程低減などが期待されている。一方、半導体リソグラフィへの適用には、①無欠陥、②高精度重ね合わせ、③高スループット等、課題がある。11）　図６はNEDOによって作成されたものであり、IT、環境、エネルギー、バイオ産業の基本的な技術的要であり、ナノインプリント技術の重要性を示している。現在、ナノインプリント関連企業の進出が相次いでいる。又応用分野の研究開発進められており、半導体分野以外でも、ナノインプリント技術が幅広く拡大している。12）参考文献１）S.Y.Chou,P.R.Krauss;J.Vac.Sci.Technol.,815,2897（1997）２）L.Guo,P.R.Krauss and S.Y.Chou:Appl.Phy.Lett.,17,1881（1997）３）M.Kurihara:電子材料.;Vol.2,Page32-36（2008）４）NIKKEI MICRODEVICE., May. Page 36-41（2008）５）J.Haisma,M.Verheijen and K.Heuvei:J.Vac.Sci.Technol.,B14,4125（1996）６）T.Bailey,B.TChooi,M.Colburn and C.G.Willson:J.Vac.Sci.Technol.,B18,3572（2000）７）NIKKEI MICRODEVICE., MAY. Page42-50（2008）８）松井真二：月刊トライボロジ-.,Vol.11（2009）９）栗原、出口等：NGLワークショップ2004.,160（2009）10）法元盛久：月刊トライボロジー.,Vol.11. Page47-49（2008）11）松井真二：月刊トライボロジー.,Vol.11. Page20-22（2009）12）松井真二：ナノインプリントの開発とデバイス応用、シーエムシー出版（2011）半導体ナノ加工分野（技術マップ及びロードマップ）2005 2010 2015 2020光リソグラフィーに替わる2次元超微細加工法【高精度化】DRAMhp:32nm（2013）、22nm（2016）、18nm（2018）メモリセルの最小化【高記録密度化】MRAM:4Gb（it 2014）、8Gb（it 2016）、16Gb（it 2018）、32Gb（it 2020）HDD基盤のパターン形成【高記録密度化】600Gbit/inch2（2010）、12Tbit/inch2（2013）有機ELディスプレイにおける表示郡、駆動回路（TFT）の作製【低コスト化】パネル面積単価：基準100（2010）→パネル面積単価10（2020）太陽電池における全波長吸収可能な微細加工基盤の製作【大面積化、高効率化】バイオチップにおける高アスペクト比の高密度ピラー形成【高効率分離】メモリストレージディスプレイエネルギーバイオ? 光リソグラフィーの解像度限界を打破する。2次元パターン形成? 真空プロセスなど、大がかりな装置を要しない、低コスト、大量生産プロセス※枠の左端は、ナノ加工技術を利用した製品のサンプル出荷が見込まれる時期を示す。ナノインプリント図６　ナノインプリント技術のロードマップ（NEDO）